所属分类:集成电路
实验学时:8
实验操作步骤:33
实验项目负责人:李立珺
联系电话:18149203478
实验简介:三极管是集成电路中应用对广泛也是最重要的半导体器件之一。其类型有PNP型和NPN型两种。以NPN型为例说明,其衬底采用轻掺杂的P型硅。在衬底上生长一层二氧化硅,进行光刻,刻蚀出埋层区域。再外延生长一层轻掺杂的硅形成外延层作为集电区。通过光刻刻蚀出基区,然后注入硼并退火,使其扩散形成基区。再光刻刻蚀出发射区,进行磷或砷注入,并退火形成发射区。